SKハイニックス、19兆ウォン投資して清州に先端パッケージングファブ「P&T7」を新設…HBMの力量強化

［写真＝SKハイニックス］
SKハイニックスが急増するグローバル人工知能(AI)メモリー需要に対応するため、忠清北道清州（チョンジュ）に約19兆ウォンを投入し、先端パッケージング工場を新たに構築する。 高帯域幅メモリー(HBM)を中心とした次世代メモリー競争力を引き上げると同時に、政府が推進中の地域均衡発展基調に呼応する投資という評価だ。

SKハイニックスは13日、自社ニュースルームに掲載した「先端パッケージングP&T(パッケージ&テスト)新規投資と関連して説明します」という文を通じ、次世代パッケージングファブである「P&T7」建設計画を公式化した。 SKハイニックスは“先端パッケージング工程は前工程との連係性、物流効率、運営安定性の側面で接近性が核心要素”とし、“国内外の色々な候補地を巡って検討した末に、産業競争力強化と地域均衡発展という2つの目標を全て考慮し、清州を最終決定した”と明らかにした。

新設されるP&T7は前工程で生産された半導体チップをパッケージングしてテストし、最終製品に完成するいわゆる「アドバンスドパッケージング(Advanced Packaging)」機能を遂行する。 前工程がウェハーの上に回路を形成してメモリセル・素子を具現する段階ならば、後工程はこのチップを切って包装し検証する過程だ。 この中で、アドバンスドパッケージングはHBMをはじめとするAI対応メモリーの性能と電力効率を左右する核心技術であり、最近、重要性が急速に浮上している。

今回の投資を通じ、SKハイニックスは京畿道利川（イチョン）と清州、米インディアナ州ウェストラフィエットの3地域にアドバンスドパッケージング拠点を確保することになる。 清州テクノポリス産業団地7万坪（約23万㎡）の敷地に建設されるP&T7は総投資規模19兆ウォンで、今年4月に着工し、2027年末の完工を目標にしている。

清州キャンパスはこの投資で、NAND型フラッシュとHBM・DRAMの生産からパッケージングまで含めた統合半導体クラスター体系を完成することになった。 すでにNANDを生産するM11・M12・M15と後工程を担当するP&T3が稼動中であり、昨年20兆ウォン投資を決めた次世代Dラム生産ラインのM15Xも位置している。 M15Xは計画より繰り上げ、昨年10月にクリーンルームを開き、装備搬入・設置を進行中であり、早期稼動を準備している。

SKハイニックスは前工程と後工程ラインの有機的結合を通じ、AIメモリー競争力を段階的に引き上げるという計画だ。 特に、M15Xで生産したDRAMをHBMに完成する過程で、P&T7が核心的な役割を担うことになる見通しだ。 市場調査会社はグローバルAI競争の拡散に支えられ、HBM市場が2030年まで年平均30%台の成長を続けるものと予想している。

さらに、会社は今回の投資が地方投資拡大議論が続く状況で、国家産業基盤強化と地域同伴成長を同時に狙った決定だという点も強調した。 SKハイニックスは“清州P&T7の投資は短期的費用・効率を越え、産業生態系全般の競争力向上と地域共生構図を構築するための選択”とし、“政府政策と企業努力が結合し、国家競争力強化という成果につながることを期待する”と明らかにした。
박수정 기자 psj2014@ajunews.com